在GaN上沉积C轴取向的LiNbO3薄膜的优化实验参数测定

摘要：

采用LiNbO3单晶靶材,以激光脉冲沉积方法在六方GaN(0001)基片上沉积制备C轴取向的LiNbO3薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)研究了沉积温度和氧气压强对生长的薄膜的相组成等的影响.确定最优生长条件为沉积温度500摄氏度、氧分压20～ 30 Pa、靶基距3cm、激光强度120mJ.XRD分析表明,探索使LiNbO3薄膜与衬底间适配度小,并且LiNbO3薄膜(006)取向为主的方法.

关键词： 铌酸锂薄膜 性能优化 参数测定 生长取向 脉冲激光沉积

作者: 陈国璋 杨凯 刘经斌 易恒谦

作者单位: 电子科技大学 成都市建设北路二段四号 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 283-285

在线出版日期: 2012-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）