Ti3SiC2/Ni扩散连接接头的界面结构及连接强度
本文利用Gleeble 3500热模拟实验机,在800～1000℃、10～90min和6～20MPa条件下对Ti3SiC2和Ni进行真空扩散连接.采用扫描电镜、X射线、电子探针等分析手段确定了界面结构和反应产物,并用剪切实验评价了接头的连接强度.结果表明,在连接过程中,界面生成Ni31Si12、Ni16Ti6Si7、Ti2Ni和TiCx多种反应产物, 形成了Ni/Ni31Si12+Ni16Ti6Si7+TiCx/Ti3SiC2+Ti2Ni+TiCx/Ti3SiC2的界面结构.在1000℃、10min和20MPa实验条件下,获得的Ti3SiC2/Ni接头的剪切强度达到121±7MPa,接近Ti3SiC2陶瓷的剪切强度.
陶瓷材料 真空扩散焊 连接接头 界面反应 剪切强度
尹孝辉
安徽工业大学材料科学与工程学院,马鞍山243002
国内会议
江苏昆山
中文
283-286
2010-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）