ＳＯＩ—突破硅材料与硅集成电路限制的新技术

摘要：

与体硅材料和器件比较，ＳＯＩ具有许多独特的优越性，例如高开关速度、高密度、抗辐照、无闩锁效应等。因而被称为２１世纪的微电子技术而引起人们越来越多的关注，ＳＯＩ技术正走向商业应用阶段。特别是应用于低压、低功耗ＣＭＯＳ电路，抗辐照器件和高温电子器件等。结合第九届ＳＯＩ工艺和器件国际会议的内容。综述了ＳＯＩ材料和器件的最新进展。

关键词： ＳＯＩ材料器件 离子注入 智能剥离

作者: 林成鲁

作者单位: 科学院上海冶金所信息功能材料国家重点实验室(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 160～164

在线出版日期: 1999-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）