用不带分析器的离子注入实现硅薄膜转移的ＳＯＩ技术

摘要：

试验了利用同有质量分析器的离子注入机向硅片中注入氢离子，实现了硅表层薄膜的转移，形成ＳＯＩ结构。并利用ＲＢＳ、ＡＦＭ、ＸＴＥＭ、ＳＰＲ等研究了了用上述方法制备的ＳＯＩ材料，同时表征了所制备的ＳＯＩ材料质量。

关键词： ＳＯＩ 离子注入 智能剥离

作者: 多新中 郑志宏 王鲁闽

作者单位: 科学院上海冶金冶金所,信息功能材料国家重点实验室(上海) 科学院上海冶金冶金所,离子束开放实验室(上海) 密西根大学工程学院(美国)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 244～246

在线出版日期: 1999-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）