利用智能剥离（Ｓｍａｒｔ ｃｕｔ）技术形成ＳＯＩ材料的研究

摘要：

Ｓｍａｒｔ ｃｕｔ是继ＢＥＳＯＩ技术之后发展起来的新型智能剥离技术，它解决了ＢＥＳＯＩ技术中减薄的困难同时兼顾了ＳＩＭＯＸ技术和键合技术的优点，利用智能剥离技术形成ＳＯＩ材料的一些关键问题，如注氢剂量，能量的选择，键合前的亲水处理等作了一些研究。得到了最佳的注氢剂量，能量以及亲水处理方法。在３英寸硅片上成功地实现了智能剥离。

关键词： ＳＯＩ 离子注入 键合 智能剥离

作者: 李映雪 张志宽 张兴 王阳元

作者单位: 大学微电子所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 165～168

在线出版日期: 1999-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）