SnO2薄膜的PECVD制奋及其电特性

摘要：

用PECVD方法制备出SnO2薄膜，利用双探针技术诊断出等离子体反应器内电子密度的分布，并分析了电子密度、沉积温度、氧气流量对薄膜电阻的影响及掺的SnO2，薄膜石油液化气和一氧化碳气敏特性·

关键词： SnO2薄膜 电子密度 方块电阴 气敏特性

作者: 刘彭义 陈俊芳

作者单位: 大学物理系 师范大学物理系

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国核学会核聚变与等离子体应用学术讨论会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 304～307

在线出版日期: 1998-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）