一种工艺简单的太阳电池TCO/SiO<,2>/Si研究

摘要：

该文报道了ＴＣＯ／ＳｉＯ〈，２〉／Ｓｉ，结构为ＳＩＳ的太阳电池初步研究结果，采用的工艺简单，廉价，它们分别是热氧化ＳｉＯ〈，２〉，常压喷涂（ＣＶＤ）ＳｎＯ〈，２〉，及丝网印刷电极，重复性较好，电池开路电压，短路电流分别达５２０ｍｖ，１０４ｍＡ，效率为８℅，优化工艺，可望性能有较大提高。

关键词： SnO<,2>透明导电膜 SIS结构太阳电池

作者: 周之斌 吴万松 王永东 曾为民

作者单位: 交通大学物理系太阳能研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国光伏技术学术研讨会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 91～93

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）