氧化钴纳米阵列多级结构的合成,形貌进化及其增强的超电容性能研究
近几年来,纳米技术的高速发展为开发新的能源器件带来了机遇,多级结构的纳米阵列由于其独特的结构优势作为一种理想的电极材料广泛应用于超级电容器中.本文利用简单的水热法和煅烧处理合成出了具有多级结构的氧化钴纳米片@纳米线阵列,通过调控反应时『,研究了多级结构的生长机理;电化学测试表明这种新奇结构的材料具有非常大的容量(715 Fg-1),倍率特性(电流密度增大六倍时维持69％的容量)和极好的稳定性(1000个循环之后容量不变).此后,我们对性能较差的纳米片和纳米线阵列进行二次水热处理,惊人的发现二次水热后纳米阵列的形貌发生很大变化,更薄、更小尺寸的结构使得材料的性能得到极大的提升(容量高达1253 Fg-t);这种设计多级结构的理念和形貌进化的方法,对开发新型多功能纳米复合材料和改善纳米材料性能有一定的指导意义.
氧化钴 合成工艺 纳米阵列 多级结构 超电容性能
杨秋 刘军枫 孙晓明
北京化工大学化工资源有效利用同家重点实验室,北京,100029
国内会议
济南
中文
118-118
2012-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）