锰对碳化硅上外延石墨烯插层结构的形貌与电子结构研究
本文利用在石墨烯表面蒸镀并通过加热插层,发现了一种新奇的”外延石墨烯/锰/碳化硅”三明治结构.经过扫描隧道显微镜,低能电子衍射和X射线光电子能谱,发现锰原子在加热的过程中可以插层进入单层石墨烯下以及sp3杂化的碳界面层与基底之间,表现出不同形貌的二维连续的锰原子层岛状物.位于锰岛周围的石墨烯量子干涉现象同时证明了锰原子位于石墨烯层下.插层在石墨烯下的锰原子层可以在一定程度下减弱石墨烯与基底的相互作用,对石墨烯有一定的电子掺杂作用,并通过角分辨光电子能谱得到了证实.更有趣的是,发现在单层和双石墨烯共存下,锰插层仅仅发生在单层区域,表现出独特的石墨烯层数依赖效应.从长远来看,”石墨烯/锰/碳化硅”体系为研究二维金属的物理性质,如磁学和输运性质,提供了良好的研究对象.
碳化硅 石墨烯 电子结构 锰原子
高腾 刘忠范 高雅博 常翠祖 陈宇滨 刘梦溪 谢书宝 何珂 马旭村 张艳锋
北京大学化学与分子工程学院纳米化学研究中心,北京,100871 中国科学院物理研究所,北京,100190 北京大学化学与分子工程学院纳米化学研究中心,北京,100871;北京大学工学院材料科学与工程系,北京,100871
国内会议
济南
中文
144-144
2012-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）