超深亚微米S0I NMOSFET关态应力下的热载流子效应

摘要：

本文对超深亚微米SOI NMOSFET的热载流子效应进行了试验研究.实验结果表明:关态应力条件下,浮体超深亚微米SOI器件具有明显的热载流子效应,其特有的寄生双极效应是器件显著热载流子损伤的重要原因;与前栅晶体管一样,背栅晶体管在关态应力下也表现出显著的热载流子效应,其产生明显热载流子效应的机理与前栅晶体管相同.相同应力条件下,沟道长度越短,热载流子效应越强,原因在于沟道长度直接决定了寄生双极效应的强度.

关键词： 晶体管 深亚微米 热载流子效应 关态应力

作者: 郑齐文 余学峰 崔江维

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐,830011;中国科学院大学,北京,10049 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐,830011

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国博士生学术年会

会议地点: 济南

会议语种:中文

页码: 200-200

在线出版日期: 2012-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）