最新晶圓接合技術於垂直薄膜型藍光發光二極體之應用
将化学无电镀金方法应用在氮化镓发光二极体之金属接合制程中,并利用雷射剥离技术使蓝实石基板与氮化镓薄膜分离并转移至矽基板,制备垂直导通氮化镓发光二极体,探讨元件之材料与光电特性.利用无电镀金方法将金薄膜成长於具有晶种层的表面,参数则控制在浓度0.05M,温度50℃下,成长1小时之后可得到2μm的金薄膜；之后与铟在低温220℃、压力200kg/inch2,压合2小时并且利用UV雷射成功的将氮化镓薄膜从蓝实石基板剥离并且不会对氮化镓薄膜造成伤害,其雷射光束直径为1mm,能量密度为96 mJ/cm2,扫瞄速率0.27mm/s,制作出以矽为基板之薄膜发光二极体；经由发光功率以及偏压点测后,良率分别为93.3％及95.3％；完成封装之Thin GaN LED元件在注入电流350 mA的输出功率与发光效率分别为350.5 mW及20.13％,具有良好的光电特性。
发光二极管 氮化镓 晶圆接合技术 发光效率
洪瑞華 高偉程
中興大學精密工程研究所 中興大學材料科學與工程學系
国内会议
长沙
中文
499-504
2012-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）