高功率脉冲对PIN限幅器的毁伤效应研究

摘要：

本文针对PIN限幅器在高功率脉冲下的毁伤效应,对PIN限幅器归一化吸收、负载和反射功率与阻抗关系进行了理论分析,并对高功率脉冲注入下PIN限幅器的瞬态响应进行了仿真分析,结果表明当输入脉冲上升沿小于5ns,输入功率大于200mW时,限幅器出现明显的尖峰泄漏现象,并且限幅能力趋于饱和,试验结果也验证了仿真分析结果的有效性。

关键词： 高功率脉冲 限幅器 毁伤效应 尖峰泄漏

作者: 李吉浩

作者单位: 天线与微波技术国防科技重点实验室,南京电子技术研究所,南京210013

会议类型: 国内会议

会议名称: 2012年全国军事微波会议、2012年全国电磁兼容学术会议、2012年第九届电磁技术学术年会

会议地点: 桂林

会议语种:中文

页码: 315-318

在线出版日期: 2012-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）