Si纳米晶表面结构的第一性原理研究
Si纳米晶材料在太阳能电池,光电器件中有广泛的应用前景.本文基于第一性原理的密度泛函理论,利用Materiala Studio软件中的DMo(l)3模块计算了不同结构的Si纳米晶的态密度.计算结果表明量子限制效应和表面态都是影响Si纳米晶发光的因素.Si纳米晶表面的O原子通过与Si原子成键而在带隙中引入了局域能级.局域能级的出现使得Si纳米晶的带隙变窄.通过分析,我们认为,相比于Si-O-Si键,Si=O双键更有可能存在于Si纳米晶的表面,成为影响其发光的一个重要因素.
硅纳米晶材料 表面结构 第一性原理 态密度分析
张军星 张庆峰 刘世民
亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室”燕山大学”,秦皇岛066004
国内会议
洛阳
中文
265-268
2013-05-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）