一种基于32位ARM微控制器电路的辐射效应研究

摘要：

　　针对一种基于32位ARM微控制器的试验电路，研究其瞬时电离辐射效应和电离总剂量辐射效应.在”强光一号”脉冲加速器上进行了γ瞬时电离辐照试验，在60Co γ射线源上进行了电离总剂量辐照试验，给出了试验测试结果并分析了失效阈值和失效模式：电路的瞬时电离辐射效应表现为剂量率复位重启和剂量率闭锁，闭锁阈值为5× 107Gy/Si.s；电路的电离总剂量辐射效应表现为随着辐照总剂量的增加，其工作电流逐渐增加直至功能失效，功能失效阈值为180Gy (Si).

关键词： 微控制器 辐射效应 电离辐射 辐照试验

作者: Du Chuanhua 杜川华 Zhao Hongchao 赵洪超 Wang Yanwen 王彦文 Tang Taigang 唐太岗

作者单位: Institute of Electronic Engineering, CAEP, Mianyang 621900, China 中国工程物理研究院电子工程研究所 四川 绵阳621900

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国信息与电子工程第五届学术年会暨四川省电子学会曙光分会第十六届学术年会

会议地点: 黄山

会议语种:中文

页码: 56-61

在线出版日期: 2012-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）