MOS器件脉冲与稳态电离总剂量效应异同性研究

摘要：

　　对多种MOS器件在钴源和脉冲加速器γ射线模拟源上的不同剂量率下进行辐照实验，研究了MOS器件阈值电压随辐射剂量及剂量率的变化关系。试验结果表明，在相同辐射剂量下，稳态低剂量率辐照损伤比脉冲高剂量率损伤大，分析认为快速退火是存在不同损伤效应的原因。

关键词： 集成电路 电离辐射 效应分析 射线模拟 损伤检测

作者: 朱小锋 周开明 赵洪超

作者单位: 中国工程物理研究院电子工程研究所 四川 绵阳621900

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国信息与电子工程第五届学术年会暨四川省电子学会曙光分会第十六届学术年会

会议地点: 黄山

会议语种:中文

页码: 62-66

在线出版日期: 2012-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）