单层硅活动部件的工艺集成设计及其关键技术

摘要：

　　以单层硅活动部件的工艺设计为例，总结了玻璃上硅(SOG)工艺和绝缘体上硅(SOI)工艺的设计及其关键技术。对于湿法SOG工艺，关键技术是使用10％浓度的KOH实现侧壁陡直的微结构自停止腐蚀释放。对于干法SOG工艺，使用SOI材料替代普通单晶硅能够获得表面平整、光滑、厚度可精确控制的结构层。正面释放SOO工艺的难点在于微结构的吸附防护，临界点干燥方法能够一定程度上缓解吸附。内嵌空腔SOI工艺的关键在于硅硅键合的温度梯度控制。背腔SOI工艺的难点在于背腔腐蚀后如何保持硅圆片的完整性，键合玻璃作为支撑是较好的方法。

关键词： 玻璃上硅 工艺设计 关键技术 温度控制

作者: 施志贵

作者单位: 中国工程物理研究院电子工程研究所 四川 绵阳621900

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国信息与电子工程第五届学术年会暨四川省电子学会曙光分会第十六届学术年会

会议地点: 黄山

会议语种:中文

页码: 79-85

在线出版日期: 2012-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）