高功率微波及材料特性参数对沿面击穿的影响
本文采用自编的ID3V PIC-MCC程序，粒子模拟研究了高功率微波及材料特性参数对介质沿面闪络击穿过程的影响，给出了电子与离子数目、电子及离子密度分布、空间电荷场时空分布、电子平均能量、放电功率、表面沉积功率、激发电离损耗功率、电离频率等重要物理量。数值结果表明：电离频率随场强增加而增加达到饱和后缓慢下降，强场诱发的二次电子数目更多导致本底沉积功率增高；电高频率随频率减小而增加达到饱和后缓慢下降，频率太高会抑制次级电子倍增；因此，低频强场会增加击穿压力；反射引发表面电场下降及磁场增加，降低表面场强虽使表面击穿压力下降，但磁场的增加会导致二次电子倍增起振时间缩短，还会增加器件内部击穿风险；圆极化相对线极化诱导的二次电子数目更多、表面本底沉积功率更高，增加击穿风险；短脉冲产生电子、离子总数少，平均能量低，沉积功率低，击穿风险低于长脉冲。脉冲上升时间的缩短和延长，只会使击穿时间提前或推后，并不会改善击穿压力。材料二次电子发射率的增加会给击穿造成巨大压力，表面光滑度对击穿过程影响不大。电高频率和电子平均能量随释气压强均先增加后减小关系，低气压二次电子倍增占优：高气压碰撞电离占优。
高功率微波 沿面击穿 电子倍增 蒙特卡罗碰撞 粒子模拟
Dong Ye 董烨 Dong Zhiwei 董志伟 Zhou Qianhong 周前红 Yang Wenyuan 杨温渊 Zhou Haijing 周海京
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国内会议
全国信息与电子工程第五届学术年会暨四川省电子学会曙光分会第十六届学术年会
黄山
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199-208
2012-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）