光导型GaN/Si探测器的研制

摘要：

采用MOCVD技术在Si(111)GaN薄膜，以此材料制备成光导型Si基GaN紫外探测器。探测器的光谱响应表明，在紫外波段250-360nm有近于平坦的光电流响应，363nm附近有陡峭的截止边，357nm波长处5V偏压下的响应度高达6.9A/W。响应度与偏压的变化关系表明，4V以前为线性增加，5V后达到饱和。

关键词： Si基GaN 探测器 响应度

作者: 江若琏 席冬娟 赵作明 陈鹏 沈波 张荣

作者单位: 南京大学物理系

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 256～258

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）