200mm图形片薄层硅外延工艺研究

摘要：

　　200 mm图形片外延工艺随着国内8英寸(1英寸=25.4 mm)生产线的发展而逐渐成熟起来.是硅外延发展的趋势之一.本文讨论通过气流设计、控制图形漂移和畸变、控制自掺杂的方法，达到该产品需要的技术指标.厚度电阻率均匀性小于3％，图形漂移和畸变量小于5％.该产品应用于客户可替代进口产品，实现国产化.

关键词： 微电子行业 硅材料 外延工艺 图形漂移 畸变量

作者: Yuan Zhaogeng 袁肇耿 Zhang Hua 张华 Zhao Lixia 赵丽霞

作者单位: Hebei Poshing Electronic Technology Co.,Ltd.,Shijiazhuang 050051,China 河北普兴电子科技股份有限公司,石家庄050051

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 48-54

在线出版日期: 2011-08-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）