MOSFET铜线键合的研究与探讨
本论文提供了MOSFET铜线键合的一种方法，给出了MOSFET铜线键合的工艺参数以及各方面应该注意的事项。由于采用的是铜线高密度键合，其相对于粗铝丝键合分散了芯片压力，这样芯片不容易裂片。同时G极应用铜线(<3 mil)键合的焊点比铝丝(4 mil)焊点小了很多，因此为MOSFET的设计者节省出更大的面积应用于S极。另外考虑金属间的生长，铜与铝不容易产生金属间生长生产出来的产品使用或者放置一段时间(通常是一年以上)，焊接点与芯片不容易产生金属间化合物，因此产品在放置和使用一段时间后也不容易失效。
半导体技术 芯片设计 铜线键合 工艺参数
赖辉朋 谭楠
深圳市晶导电子有限公司,广东深圳518101
国内会议
昆明
中文
63-66
2011-08-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）