功率MOSFET概述

摘要：

　　本文介绍了低压MOSFET的结构、工艺、性能分析了硅高压VDMOS技术发展的两个阶段：1998年之前，主要侧重平面DMOS结构优化；1998年开始，引入超结(SJ)技术。文中综述了国际上功率MOSFET 30多年的发展简介，中国功率MOSFET产业的发展也很迅速，目前华虹NEC采用深槽填充技术己研制出700 V超结MOSFET，比通态电阻小于30mΩcm2，且漏电非常低。期待中国功率半导体技术能有更蓬勃的发展。

关键词： 金属氧化物半导体器件 产品结构 技术分析 性能评价

作者: 胡冬青

作者单位: 北京工业大学功率半导体器件研究室,北京100124

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 110-114

在线出版日期: 2011-08-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）