1700V Planar NPT IGBT的设计

摘要：

　　本文设计一款1700 V Planar NPT IGBT,首先进行理论分析,从理论上分析IGBT工艺参数与主要器件性能的关系.然后进行工艺设计,并利用TSUPREM4和MEDICI仿真软件,重点研究了各工艺参数对器件击穿电压、通态压降以及阈值电压的影响.通过工艺参数优化设计和计算机模拟得到满足设计要求的IGBT：击穿电压BV约 2000V,通态压降Vce(on)约为2.5 V,阈值电压Vth约为5V.

关键词： 绝缘栅双极型晶体管 工艺参数 优化设计 计算机模拟

作者: 张超 李泽宏 张金平 任敏 张波

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 115-119

在线出版日期: 2011-08-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）