2500V Planner NPT IGBT的设计

摘要：

　　本文介绍了IGBT (insulated gate bipolar transistor,绝缘栅双极型晶体管)的结构和基本工作原理,讨论了IGBT在设计中需要考虑的相关参数,建立了2 500 V Planar NPT IGBT器件工艺模型,利用Tsuprem4和Medici软件对其击穿电压、阈值电压、通态压降等参数进行了模拟分析.所设计的IGBT的击穿电压3 100 V,通态压降 3.4V,阈值电压6V.

关键词： 绝缘栅双极型晶体管 器件设计 工艺参数 模拟分析

作者: 肖璇 李泽宏 张金平 任敏 张波

作者单位: 电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 120-125

在线出版日期: 2011-08-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）