VDMOS过温保护功能的实现

摘要：

　　提出了一种内部集成了过热保护功能的VDMOS(垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)器件。文中对传统过热保护原理进行了分析，指出其缺点，并在此基础上提出了一种改进的适用于功率器件过热保护的结构，并详细分析其实现原理。仿真结果表明：该器件具有过热保护阈值点可调，保护模式下器件的关断和开启速度快的特点，并且其热滞回功能可有效防止热振荡。集成于芯片内部的过热保护功能大大提高了VDMOS的可靠性。

关键词： 垂直双扩散金属氧化物半导体器件 过热保护功能 结构改进 仿真分析 性能评价

作者: 刘小龙 谢加雄 李婷 任敏 张金平 李泽宏 谭开洲 刘勇 唐昭焕

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054 中国电子科技集团公司第24研究所,重庆400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 129-134

在线出版日期: 2011-08-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）