超结VDMOS器件的研究及最新进展

摘要：

　　超结VDMOS打破了传统多子器件的“硅限”，是功率半导体器件发展史上的里程碑式的结构。本文介绍了超结理论的提出及发展，分析了超结VDMOS器件结构如常规超结VDMOS器件、半超结VDMOS器件、具有肖特基接触结构的超结VDMOS、氧化层旁路VDMOS、浮岛型VDMOS等的研究进展，并进一步研究了超结结构VDMOS的制备工艺。

关键词： 垂直双扩散金属氧化物半导体器件 超结结构 制备工艺 技术分析

作者: 任敏 李泽宏 张金平 张波 邓光敏 张帅 王飞

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054 华虹-NEC电子有限公司,上海201206

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 135-144

在线出版日期: 2011-08-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）