600VPT及NPT型IGBT产品研制

摘要：

　　本文介绍了600 VPT型及NPT型IGBT的产品研制及在相关领域的应用.600 V IGBT的试验测试曲线及数据分析表明：两种方案的IGBT,其击穿电压BVCES都满足大于600 V要求；NPT型IGBT的阈值电压为5V,PT型略小为3.6 V；NPT型IGBT的饱和压降值VCE(sat)与仙童同类产品接近为1.8V,而PT型饱和压降值较小为1.4 V.

关键词： 绝缘栅双极型晶体管 结构分析 制造工艺 产品测试

作者: 钱梦亮 陈俊标

作者单位: 江苏东光微电子股份有限公司,江苏宣兴214205

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 171-175

在线出版日期: 2011-08-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）