沟槽栅FS-IGBT器件形貌结构的开发
本文对IGBT器件形貌结构的实现进行了阐述，包括器件元胞的形貌结构、器件终端的形貌结构和超薄片加工工艺。本文所阐述的方法和相关问题均来自于1200 V沟槽栅FS-IGBT器件的研发实践，针对问题所确定的解决方案也在器件的研发过程中得到了验证。最后提出了一种新型的沟槽栅制造方法和一种新型的超薄硅片加工方法，也对器件终端结构的开发进行了探索。文中还阐述了在沟槽栅FS-IGBT器件研发过程中遇到的器件形貌结构上的问题，分析了这些问题所发生的原因，提出了针对这些问题的解决方案，并最终实现了沟槽栅FS-IGBT器件所需的形貌结构。
绝缘栅双极型晶体管 沟槽栅结构 产品开发 技术分析
饶祖刚
天津中环半导体股份有限公司,天津300384
国内会议
昆明
中文
187-188
2011-08-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）