平坦化技术在微波功率SiC MESFET工艺中的应用
本文以微波SiC MESFET为例，首先要4H半绝缘SiC衬底片上外延一层缓冲层，用来减少衬底对SiC MESFET的影响，然后在缓冲层上生长一层n型的沟道层，再在沟道层上外延一层高掺杂的n型盖帽层用来形成源、漏金属电极的欧姆接触。可见为实现良好的肖特基势垒控制沟道的状况，必须将栅电极处的高掺杂n型盖帽层刻蚀掉，使肖特基栅在掺杂浓度适中的n型沟道层上形成，达到形成MESFET的目的。为避免缓冲层缺陷对器件性能的影响，研制探索出了一条有效的工艺技术途径，平坦化技术对保证器件的一致性和减小寄生参量也起到了促进作用，采用此技术后器件多胞合成在S波段200 W以上的功率输出实现了增益大于11 dB的SiC功率MESFET。说明本技术的采用进一步提高了SiC功率器件的性能，为SiC功率器件在微波及电力电子等方面的实用化奠定了工艺技术基础。
金属-半导体场效应晶体管 碳化硅材料 制造工艺 平坦化技术
潘宏菽 商庆杰 默江辉 李静强 霍玉柱 杨霏 陈昊
专用集成电路重点实验室,石家庄050051
国内会议
昆明
中文
269-269
2011-08-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）