宽禁带材料GaN功率器件

摘要：

　　GaN是一种新型宽禁带材料，具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高等特点。非常适合于制作高频、大功率器件。本文介绍了GaN材料的物理化学特性，比较了硅基功率器件与碳化镓基功率器件的区别，并进一步探讨了氮化镓功率器件的优势：更高击穿压更高频、更低的导通电阻、未来最有前景的电力电子器件。文章还讨论了GaN功率器件的设计制作，并结合GaN功率器件的现状，展望了其发展的未来。

关键词： 氮化镓 宽禁带材料 功率器件 性能评价

作者: 丛宏林 江忠永 张昊翔

作者单位: 杭州士兰明芯科技有限公司,杭州310018

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 270-276

在线出版日期: 2011-08-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）