0.18μm锗硅HBT BiCMOS工艺中的pin开关二极管设计

摘要：

　　本文成功地实现了pin开关二极管在0.18μm HBT BiCMOS工艺中的集成。通过不同版图设计对性能影响的对比，结果显示八角形的版图设计性能最优；同时在pin管的总面积不变时，pin二极管单管面积越小，插入损耗越小；而隔离度则与pin的总面积相关，面积越小，隔离度越小。在版图最优的基础上，目前采用优化的i区杂质注入条件，得到了插入损耗<1 dB.隔离度<-20 dB，满足客户产品对pin性能的要求。目前器件性能仍在进一步提高。

关键词： 开关二极管 版图设计 性能评价 工艺优化

作者: 刘冬华 胡君 钱文生 陈帆 段文婷 石晶 周天舒 黄景丰

作者单位: 上海华虹NEC电子有限公司技术开发部,上海201206

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 277-278

在线出版日期: 2011-08-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）