微波低噪声SiGe HBT的研发

摘要：

　　SiGe HBT器件具有高频功率及噪声性能，本文基于先进的8英寸(200 mm)集成电路工艺生产线，通过Site HBT的工艺开发和器件设计，成功地自主开发了两款微波低噪声器件产品。文中介绍了微波低噪声SiGe HBT器件制备及性能。

关键词： 锗化硅异质结双极型晶体管 微波低噪声器件 产品开发 性能评价

作者: 张伟 付军 王玉东 李高庆 崔杰 赵悦 许平 刘志弘 周正良 钱文生 周天舒 季伟 李昊 刘鹏 黄景丰 周伟 顾学强

作者单位: 清华大学微电子学研究所 北京100084 上海华虹NEC电子有限公司,上海201206 上海集成电路研发中心,上海201210

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 290-291

在线出版日期: 2011-08-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）