高质量钒掺杂半绝缘碳化硅晶体及其在光导开关上的应用
本文采用上海硅酸盐研究所自制的2英寸(1英寸=25.4 mm)半绝缘6H-SiC晶体开展了光导开关的制备与性能研究。采用PVT法制备了钒掺杂的6H-SiC晶体，晶体结晶质量的高分辨X射线(HR-XRD)摇摆曲线平均半高宽小于20弧秒，电阻率高于109Ω·cm，微管缺陷密度小于10个/cm2；表面加工质量的平均表面粗糙度RMS<0.2 nm。SiC PCSS采用平面型同面电极的制作方式，Ni/Al电极面间距10 mm，采用355 nm的激光作为激发光源，获得了耐压值高于20 kV，导通电阻小于10Ω，上升沿时间2～3ns的高性能SiC PCSS。
光导开关 钒掺杂半绝缘碳化硅晶体 宽禁带半导体材料 制备工艺 性能评价
刘学超 严成锋 黄维 杨建华 施尔畏
中国科学院上海硅酸盐研究所,上海201800
国内会议
昆明
中文
319-320
2011-08-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）