射频磁控溅射ZnO压电薄膜及其结构改善工艺研究

摘要：

　　采用RF射频磁控溅射技术和ZnO-Li0.022陶瓷靶在Si (100)基片上制备了高度c轴择优取向的ZnO薄膜,XRD分析表明Li+离子掺杂改善了ZnO靶材的结构和性能,同时研究了不同RF溅射温度、氧分压对ZnO薄膜结构与择优取向的影响；通过对不同溅射工艺参数的进一步分析比较,确定了RF溅射最佳条件：基片温度Ts小于300℃,氩氧气氛体积比为Ar∶O2=20∶5,由此制得了高度c轴(002)择优取向、致密、均匀,满足声表面波器件(SAW)应用要求的ZnO压电薄膜.

关键词： 半导体材料 氧化锌压电薄膜 射频磁控溅射 结构分析 择优取向

作者: Chen Zhu 陈祝 Nie Hai 聂海 Wu Lijuan 吴丽娟

作者单位: College of Telecommunication Engineering,Chengdu University of Information Technology,Chengdu 610225 成都信息工程学院通信工程学院,成都610225

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 344-350

在线出版日期: 2011-08-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）