ULSI Cu互连CoSiN扩散阻挡薄膜的研究

摘要：

　　CoSiN薄膜可以作为超大规模集成电路Cu布线互连材料使用。本文利用磁控溅射技术制备了CoSiN/Cu/CoSiN/SiO2/Si薄膜。利用四探针测试仪、薄膜测厚仪、原子力显微镜、X射线光电子能谱仪等来检测多层膜电阻率、薄膜厚度、表面形貌、元素含量及价态等。考察亚45nm级工艺条件下CoSiN薄膜对Cu的扩散阻挡性能。实验结果表明,在氩气气氛条件下经500℃30min热退火处理后多层膜的电阻率和成分没有发生明显变化,CoSiN薄膜能够保持良好的铜扩散阻挡性能,经600℃热退火处理后,Cu大量出现在表面,CoSiN薄膜对Cu失去扩散阻挡性能。

关键词： 超大规模集成电路 掺钴氮化硅薄膜 磁控溅射技术 扩散阻挡性能

作者: Zhang Zaiyu 张在玉 Chen Xiuhua 陈秀华 Han Yongqiang 韩永强

作者单位: Department of materials science and engineering Faculty of Physical Science and Technology,Yunnan Un 云南大学物理科学技术学院材料科学与工程系,昆明650091

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 376-383

在线出版日期: 2011-08-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）