PMOS金属栅/高k有效功函数调制研究进展
本文系统地综述了PMOS金属栅/高k有效功函数调制方法，分析了A1掺杂调制PMOS金属栅/高k有效功函数的机制，并基于能带对准分析，利用电化学势平衡以及静电势的方法，定量计算了A1掺杂导致的高kISiO：界面偶极子的大小及其与有效功函数调制的关系。结果表明，高k/Si02界面偶极子场在金属栅极与高k介质界面层上产生的静电势差引起了真空能级的不连续，从而导致界面势垒及有效功函数的调制。计算结果与实验数据相吻合，由此为未来pMOS有效功函数调制提供了理论途径。
互补型金属氧化物半导体 金属栅极 高k介质 有效功函数调制
黄安平 郑晓虎 杨智超 肖志松 陈子瑜
北京航空航天大学物理系,北京100191
国内会议
昆明
中文
384-385
2011-08-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）