半导体器件的抗静电性能分析

摘要：

　　本文总结了半导体静电损伤的原理和防护技巧。静电放电对半导体器件的危害广泛而深刻，其失效机理原因各异。还必须进一步加强对半导体器件的静电防护理论研究，用新的理论有效地指导实践，不断提高半导体元器件的抗END能力。

关键词： 半导体器件 静电放电 失效机理 抗静电性能

作者: 常天海 常建

作者单位: 华南理工大学电子与信息学院,广州510640

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 426-427

在线出版日期: 2011-08-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）