SOI ESD保护器件研究
本文具体分析了体硅SCR(晶闸管)和SOI SCR的抗静电特性，利用软件Sentaurus对埋氧层3μm.顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺和性能仿真，仿真结果达到了4.5 kV的抗静电能力，符合目前人体模型的标准2 kV。研究发现，注入剂量(9×1013～8×1014cm-2)增加会引起触发电压减小，维持电压升高：Trench长度(0.8～1.1μm)增加，器件触发电压几乎不变，维持电压降低；场氧化层长度(2～4.5μm )增加，触发电压和维持电压均增加。
集成电路 抗静电特性 体硅技术 性能仿真
夏超 王中健 何大伟 徐大伟 张有为 程新红 俞跃辉
中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050
国内会议
昆明
中文
430-434
2011-08-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）