Si基GaN上的欧姆接触

摘要：

研究了Si基GaN上的欧姆接触。对在不同的合金化条件下铝(Al)和钛铝铂金(Ti/Al/Pt/Au)接触在不同的合金化条件下的性质作了详尽的分析。Al/GaN在450℃氮气气氛退火3min 取得最好的欧姆接触率7.5×10<”-3>Ω.cm<”2>，而Ti/Al/Pt/Au/GaN接触在650℃氮气气氛 退火20s取得最好的欧姆接触8.4×10<”-5>Ω.cm<”2>，而且Ti/Al/Pt/Au/GaN接触有较好的热稳定性。

关键词： Si基GaN 欧姆接触

作者: 赵作明 江若琏 陈鹏 席冬娟 沈波

作者单位: 南京大学物理系(南京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 425～427

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）