SiC单晶半导体材料

摘要：

　　以SiC单晶为例介绍了宽禁带半导体材料的独特物理性质、材料制备现状及其应用.SiC单晶的研发在光电子技术的应用推动下近期发展迅速，单晶直径已经达到了6英寸，为电子器件的应用奠定了基础，其典型的缺陷--微管得到了有效控制，同时单晶的其他常见缺陷密度也大大降低，使得大功率的电力电子器件应用逐步推广开来.这些结果表明，以SiC为代表的宽禁带半导体正逐步进入我们的生活领域，在节能、环保等方面发挥越来越大的作用.

作者: 徐现刚

作者单位: 山东大学晶体材料国家重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 9-9

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）