基于InAlN的HEMT材料和器件研究

摘要：

　　In组分为17％的InAlN/GaN HEMT晶格匹配，自发极化较强，非常适于高频毫米波功率器件的制备，是近几年的国际研究热点之一。本文对InAlN/AlN/GaN HEMT结构进行理论分析，在材料生长、测试分析、器件研制等方面开展了一系列研究工作。

关键词： 高电子迁移率晶体管 异质结材料 结构分析 器件研制

作者: 王翠梅 Cuimei Wang Xiaoliang Wang 王晓亮 Yang Bi 毕杨 Hongling Xiao 肖红领 Chun Feng 冯春 Lijuan Jiang 姜丽娟 Haibo Yin 殷海波 Hong Chen 陈竑 Jianping Li 李建平 Hongxin Liu 刘宏新 王占国 Zhanguo Wang Xun Hou 侯洵

作者单位: 中国科学院半导体所材料科学重点实验室,北京 100083 Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 中国科学院半导体所材料科学重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室,北京 100083;西安交通大学电子与信息工程学院,西安 710049 中国科学院半导体所材料科学重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室,北京 100083 Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室,北京 100083;西安交通大学电子与信息工程学院,西安 710049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 15-18

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）