边欧姆接触工艺对AlGaN/AlN/GaN异质结场效应晶体管中极化库仑场散射的影响

摘要：

　　利用测得的通过边欧姆接触工艺制作的方形和圆形AlGaN/AlN/GaN场效应晶体管不同面积的肖特基电容电压特性和低漏源电压下的电流电压特性，发现由AlGaN/AlN/GaN界面极化电荷密度变化引起的极化库仑场散射与欧姆接触工艺息息相关，而且边欧姆接触大大降低了AlGaN/AlN/GaN异质结场效应晶体管中的极化库仑场散射。

关键词： 异质结材料 场效应晶体管 边欧姆接触工艺 极化库仑场散射

作者: Chongbiao Luan 栾崇彪 Zhaojun Lin 林兆军 Zhihong Feng 冯志红 Yuanjie LV 吕元杰 Jingtao Zhao 赵景涛 Hong Chen 陈弘 Zhanguo Wang 王占国

作者单位: School of Physics, Shandong University Jinan, 250100, China 山东大学物理学院,济南 250100 Science and Technology on ASIC Laboratory, Hebei Semiconductor Research Institute, Shijazhuang, 0500 专用集成电路国家重点实验室,石家庄 050051 Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, lnstitute of Physics, Chinese Academy of S 中国科学院物理所,清洁能源实验室,北京 100080 Laboratory of Semiconductor Materials Science, institute of Semiconductors, Chinese Academy of Scien 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 20-23

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）