基于InAlN/GaN共振遂穿二极管的负阻特性研究

摘要：

　　基于氮化镓(GaN)的共振遂穿二极管(RTD)在高场下,有着高频率和高输出功率密度的特性,所以RTD有希望在太赫兹辐射和检测领域发挥重要作用。汇报在室温下基于铟铝氮(InAlN)/GaNRTD的仿真,并向InAlN/GaN/InAlN量子阱里引入缺陷能级,来研究负阻特性变化的趋势,并和传统铝稼氮(AlGaN)/GaN RTD相比较。仿真结果显示,当缺陷密度大于lO9 cm-3时,InAlN/GaN RTD的负阻特性开始出现明显衰减,这和传统AlGaN/GaN RTD一致；当正反扫20次以后,InAlN/GaN RTD的负阻特性衰减很小,这比传统的AlGaN/GaN,氮化铝(AlN)/GaN RTD有着很大的改进,这归结为InAlN和GaN晶格匹配的表面,以及带来的压电极化的移除。这暗示着材料的改进有助于RTD实现稳定的负阻特性。

关键词： 共振遂穿二极管 异质结构 负阻特性 晶格匹配

作者: Lin”an Yang 杨林安 Haoran Chen 陈浩然 Yue Hao 郝跃

作者单位: State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microe/ectronic 西安电子科技大学微电子学院,宽带隙半导体技术国家重点学科实验室,西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 24-27

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）