线性区内AlGaN/AlN/GaN HFETs迁移率的理论研究

摘要：

　　本文考虑到电场对AlGaN/AlN/GaN HFETs中二维电子气(2DEG)迁移率的影响,对低场迁移率模型进行了修正。基于quasi-2-D模型,对AlGaN/AlN/GaN HFETs的I-V特性进行了模拟计算,结果表明,使用修正后的迁移率模型计算得到的I-V特性与测试曲线拟合得较好。对线性区内2DEG电子迁移率随漏源偏压和沟道电场的变化进行了分析,发现在较高的漏源偏压和沟道电场下,应变极化梯度库仑场散射对AlGaN/AlN/GaN HFETs的电子迁移率仍起重要作用,随漏源偏压和沟道电场的增加,2DEG面密度降低,极化梯度库仑场散射增强,迁移率降低。此外,栅长不同,应变极化梯度库仑场散射的影响也不同。

关键词： 高电子迁移率晶体管 异质结构 二维电子气 应变极化梯度库仑场散射

作者: Yingxia Yu 于英霞 Zhaojun Lin 林兆军 Chongbiao Luan 栾崇彪 Hong Chen 陈弘 Zhanguo Wang 王占国

作者单位: School of Physics, Shandong University, Jinan.250100, China 山东大学物理学院,济南 250100 Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics,Chinese Academy of Sciences, Beijing,1O0080 中国科学院凝聚态物理北京国家重点实验室,北京 100083 Laboratory of Semiconductor Materials science.Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Scienc 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 28-31

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）