提高AlGaN/GaN HEMT关态击穿电压的纳米沟道阵列结构

摘要：

　　本文提出了一种提高AlGaN/GaN HEMT的击穿电压的结构,即纳米沟道阵列。在栅漏间距为lm的情况下,含有纳米沟道阵列结构的器件的关态击穿电压达到105V,而无此结构的常规器件的击穿电压为54.5V。通过计算,纳米沟道阵列器件的栅漏之间的平均击穿场强达到1 MV/cm,大约是常规器件的二倍。

关键词： 高电子迁移率晶体管 击穿电压 纳米沟道阵列 异质结构 二维电子气

作者: Guodong Gu 顾国栋 蔡勇 Yong Cai Zhihong Feng 冯志红 Yue Wang 王越 Guohao yu 于国浩 Zhihua Dong 董志华 曾春红 Chunhong Zeng Baoshun Zhang 张宝顺

作者单位: Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, CAS, Suzhou 215123, China;Science and Technology on 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123;专用集成电路重点实验室,河北半导体所 石家庄 050051 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123 Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, CAS, Suzhou 215123, China Science and Technology on ASIC Lab, Hebei Semiconductor Research Institute, Shijiazhuang 050051, Chi 专用集成电路重点实验室,河北半导体所 石家庄 050051

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 32-34

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）