基于InxGa1-xN/GaN超晶格的太阳能电池的研究
本文采用中间层为InGaN/GaN超晶格的电池结构来改善晶体质量,初步制作并研究了InXGa1-xN/GaN超晶格太阳能电池。<br> 结果显示，InN组分为32％的电池得到最高的转换效率1.16％，其开路电压Voc为2.01 V，短路电流密度Isc为-0.971 mA，填充因子为59.4％。<br> InN组分为30％的电池的效率为0.51％,开路电压Voc为1.43V，短路电流密度Isc为-0.94mA，填充因子为38％。<br> InN组分为25％的电池的效率为0.88％，开路电压Voc为1.83 V，短路电流密度Isc为-1.06mA,填充因子为45.6％。<br> 不同组分的InXGa1-xN/GaN超晶格晶体质量相差不多，而32％的InN组分的超晶格吸收的光波长更长(518nm)，大于其他两者，这使得该组分的电池具有较高的光吸收，从而有高的转换效率。
太阳能电池 半导体材料 超晶格 制备工艺 性能评价
李志龙 王新强 贾传宇 陈广 郑显通 马定宇 蒋一祥 沈波
北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871
国内会议
开封
中文
35-35
2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）