Si衬底上MOCVD外延生长GaN的导电特性研究
本文对Si衬底上插入了低温AlN应力缓冲层的GaN外延结构进行了研究,并在该外延结构中观察到了一种反常的P型导电现象。针对该现象,对比具有不同结构的样品进行研究。通过SIMS和变温Hall测试分析,P型现象主要是由于外延生长时高温AlN中的A1原子扩散进Si衬底所导致的。同时还观察到了低温AlN插入层存在低阻特性使得该结构在低温下(50K)存在导电类型从P型转化为N型的现象。
半导体材料 氮化镓 导电特性 硅衬底 外延生长
Yiqiang Ni 倪毅强 贺致远 Zhiyuan He Jian Zhong 钟健 Fan Yang 杨帆 Yao Yao 姚尧 Peng Xiang 向鹏 张佰君 Baijun Zhang Yang Liu 刘扬
Sun Yat-sen University, Guangzhou, 510006, China 中山大学物理科学与工程技术学院,广州 510006
国内会议
开封
中文
36-39
2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）