栅源场板AlGaN/GaN-HEMT动态特性分析

摘要：

　　AlGaN/GaN HEMT适合应用于高压大功率器件，但在高电压动态使用时，存在“电流崩塌”现象。新制备了一种具有叠层双栅结构的AlGaN/GaN HEMT器件，该器件在栅电极之上新增加了一个通过介质层(Si3N4)与栅电极相隔离并可以单独加信号控制的顶栅，顶栅将栅电极完全覆盖并且向源端和漏端各有2um长度的延伸。通过对顶栅加不同的电压，可以将其作为源场板和栅场板使用。通过测试分析，源场板和栅场板都可以使器件的动态特性得到很大的改进，栅场板结构改进的效果更好一些。

关键词： 高电子迁移率晶体管 半导体器件 栅源场板 动态特性 结构改进

作者: 于国浩 王越 曾春红 董志华 蔡勇 张宝顺

作者单位: 中国科学院纳米器件与应用重点实验室,苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123;中国科学院研究生院,北京100049;中国科学院半导体研究所,北京 100083 中国科学院纳米器件与应用重点实验室,苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123;中国科学院研究生院,北京100049 中国科学院纳米器件与应用重点实验室,苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 40-43

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）