SiC衬底弯曲度与GaN外延片弯曲度关系研究

摘要：

　　采用MOCVD技术在SiC衬底上生长了GaN基外延材料，并研究了衬底弯曲度与外延弯曲度的关系，结果表明GaN外延材料弯曲度随着SiC衬底弯曲度的增大而增大。利用弹性动力学模型，计算了外延不同GaN层厚度时通过外延所引入的弯曲度，以及不同SiC衬底厚度与外延片弯曲度之间的关系。外延引入的弯曲度随着外延层厚度的增大而增大：外延引入的弯曲度随着衬底厚度的减小而增大。研究了衬底弯曲度的方向对外延片弯曲度的影响，当衬底弯曲度为负时，更有利于获得较小弯曲度的外延材料。

关键词： 半导体材料 氮化镓外延片 碳化硅衬底 弯曲度

作者: 冯春 Chun Feng Xiaoliang Wang 王晓亮 Hongling Xiao 肖红领 Cuimei Wang 王翠梅 Jianping Li 李建平 Hongxin Liu 刘宏新 Lijuan Jiang 姜丽娟 Hong Chen 陈竑 Haibo Yin 殷海波 王占国 Zhanguo Wang Xun Hou 侯洵

作者单位: 中国科学院半导体所材料科学重点实验室,北京 100083 Key Laboratory of Materials Science, Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences, Beijin Key Laboratory of Materials Science, Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences, Beijin 中国科学院半导体所材料科学重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所,西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室,北京 100083;西安交通大学电子与信息工程学院,西安 710049 中国科学院半导体所材料科学重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所,西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室,北京 100083 Key Laboratory of Materials Science, Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences, Beijin ISCAS-XJTU Joint Laboratory of Functional Materials and Devices for lnformatics.Beijing, 10083, Chin 中国科学院半导体研究所,西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室,北京 100083;西安交通大学电子与信息工程学院,西安 710049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 44-46

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）