与GaN晶格匹配的InAlN材料中In组分的均匀性研究
通过变温光致荧光谱和阴极荧光谱等实验手段对于与GaN晶格匹配的InxAl1-xN (x=17.3％)厚膜材料中In组分空间均匀性进行了研究，同时将实验结果与类似组分的InGaN材料进行了比较。发现两者虽然同为含In体系，但是在InAlN材料中并未表现出与InGaN相似的In组分明显的空间不均匀性。进一步地对温度-组分相图的研究表明，该组分InAIN合金处于亚稳相区域，即其向稳态的变化过程中存在一个能量的势垒.据实验现象推论，由于Al-N、In-N共价键长相差较大，使得该势垒高度较InGaN高，最终导致In0.17Al0.83N合金维持在亚稳相，这和InGaN合金中向稳态变化，从而表现为相分离的结果是截然不同的.该结果对于与GaN晶格匹配的In0.17Al0.83N材料的应用方向可能会产生深远影响。
化合物半导体 In组分 均匀性分析 氮化镓 晶格匹配
王嘉铭 许福军 黄呈橙 许正昱 张霞 王彦 葛惟昆 王新强 杨志坚 沈波
北京大学物理学院宽禁带半导体中心,北京 100871
国内会议
开封
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51-52
2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）