高质量半绝缘GaN生长研究
AlGaN/GaN异质结构和AlInN/GaN异质结构是发展GaN基高温、高频、大功率电子器件的最重要也是最基本的结构。而半绝缘GaN层的电阻和结晶质量对AlGaN/GaN和AlInN/GaN异质界面二维电子气的浓度和迁移率都有很大的影响，从而影响到HEMT器件的性能。本文提出用AlN层隔绝0的并入来抑制非故意掺杂的GaN背景载流子浓度，并且再使用二步生长法对AlN隔离层上生长的GaN结晶质量进行优化的方法，制造出高质量的半绝缘的GaN模板，并研究了二步生长法对提高GaN层结晶质量的作用机制。
半导体材料 异质结构 氮化镓 结晶质量
许正昱 许福军 黄呈橙 王嘉铭 张霞 沈波
北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871
国内会议
开封
中文
53-53
2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）